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业务介绍

工艺用RPS

工艺用RPS Lineup

专门为ALD、ALE等尖端半导体前道工艺设计的EN2CORE科技公司的工艺用RPS是直接作用于晶圆工艺的新一代远程等离子体源
在生成高效等离子体的同时,最大限度减少颗粒的产生,提供优异的点火性能、广泛的工艺兼容性和卓越的运行稳定性

EN2RA™ -RPS

  • ico

    小巧的等离子体发生器

    减少颗粒及实现活性物质损失最小化

  • ico

    高纯度陶瓷放电管

    减少颗粒及提高使用寿命

  • ico

    简单的管状结构

    方便维护及最大限度减少停机时间

  • ico

    广泛的气体兼容性

    支持多种工艺和气体组成

工艺用RPS的规格

EN2RA-RPS™是为了满足尖端半导体前道工艺的要求而开发的EN2CORE科技的代表性产品。
它可以生成精密无损的活性物质,提供超低的颗粒特性,已在许多半导体制造现场的前道工艺中得到应用和验证。
该产品适用于ALD、ALE和预处理工艺。

EN2RA™ -RPS

最大功率
6kW
点火气体

0.5 to 10 Torr, 100% H2, O2, N2 or Ar

适用气体

NF3, O2, N2, H2, CxFy, NH3

适用工艺

ALD, NOR, Hard Mask Strip, ALE(ALR), Pre-treatment, H2 Annealing

  • 宽大的放电窗口
  • 高密度等离子体,低等离子体损耗, 颗粒影响小
  • 功率精度±1%以下
  • 提供辅助气体解决方案(可选)
  • 利用工艺气体(H₂, O₂, N₂)的等离子体点火

PRO-RPS可以广泛应对各种气体组成和压力条件,提供良好的活性物质生成效率。
适用于使用低功耗的精密控制工艺。
技术实力得到认可,获得了IR52蒋英实奖,目前正应用于DRAM和逻辑器件的量产生产线。

PRO-RPS

最大功率
4.5kW
点火气体
0.5 to 5 Torr, 100% Ar
适用气体

NF3, O2, N2, H2, CxFy, NH3

适用工艺

ALE(ALR), NOR, Pre-treatment, H2 Annealing Process

  • 低功耗等离子体控制(最小180W)
  • 高密度等离子体,低等离子体损耗, 颗粒影响小
  • 功率精度±1%以下
  • 提供辅助气体解决方案(可选)

PRO-RPS (QUARTZ)是专门为主要使用O活性物质的等离子体工艺设计的PRO-RPS平台的特殊模型。
采用石英基放电结构,最大限度减少O活性物质的表面损失,发挥优秀的耐热性能,实现稳定的等离子体驱动,适用于薄膜、电介质等敏感工艺。

PRO-RPS (QUARTZ)

最大功率
4.5kW / 6kW
点火气体

0.5 to 2 Torr, 100% O2 or 90% O2, 10% N2

适用气体

O2, N2

气体流量

Up to 10slm (9:1 O2 : N2)

适用工艺

Ashing, PR Strip

  • 石英等离子体放电管
  • 宽大的工艺气体点火窗口
  • 优化氧自由基生成的高密度等离子体

协助解决顾客工艺课题的可靠的合作伙伴,EN2CORE科技

无论面临设备性能优化、工艺均匀度提升或新型器件结构开发等任何课题,
EN2CORE科技都能为您提供创新的等离子体解决方案。

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