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EN2CORE technology Logo 플라즈마 전문기업 인투코어테크놀로지

사업소개

공정용 RPS

공정용 RPS Lineup

ALD 및 ALE와 같은 첨단 반도체 선단공정을 위해 설계된 인투코어테크놀로지의 공정용 RPS는 웨이퍼 공정에 직접 작용하는 차세대 리모트 플라즈마 소스입니다.
높은 효율의 플라즈마를 생성하면서도 파티클 발생을 최소화하며, 우수한 점화 성능, 넓은 공정 호환성, 탁월한 운용 안정성을 제공합니다.

EN2RA™ -RPS

  • ico

    컴팩트한 플라즈마 발생부

    파티클 저감 및 활성종 손실 최소화

  • ico

    고순도 세라믹 방전 튜브

    파티클 저감 및 사용 수명 향상

  • ico

    단순한 튜브 구조

    유지보수 용이 및 다운타임 최소화

  • ico

    넓은 가스 호환성

    다양한 공정 및 가스 조성 지원

공정용 RPS 사양

EN2RA-RPS™는 첨단 반도체 선단공정의 요구를 충족시키기 위해 개발된 인투코어테크놀로지의 대표 제품입니다.
정밀하고 데미지 없는 활성종 생성, 초저 파티클 특성을 제공하며, 여러 반도체 제조 현장의 선단 공정에 이미 적용 및 검증되었습니다.
이 제품은 ALD, ALE, Pre-Treatment 공정에 최적화되어 있습니다.

EN2RA™ -RPS

최대출력 전원
6kW
점화 가스

0.5 to 10 Torr, 100% H2, O2, N2 or Ar

적용 가스

NF3, O2, N2, H2, CxFy, NH3

적용 공정

ALD, NOR, Hard Mask Strip, ALE(ALR), Pre-treatment, H2 Annealing

  • 넓은 방전 윈도우
  • 고밀도 플라즈마, 낮은 플라즈마 손실, 적은 파티클 영향
  • 전력 정확도 ±1% 이하
  • 서브 가스 솔루션 제공 (옵션)
  • 공정 가스(H₂, O₂, N₂)를 이용한 플라즈마 점화

PRO-RPS는 다양한 가스 조성과 압력 조건에 폭넓게 대응하며, 우수한 활성종 생성 효율을 제공합니다.
저전력을 사용하는 정밀 제어 공정에 적합합니다.
기술력을 인정받아 IR52 장영실상을 수상했으며, 현재 DRAM 및 로직 소자의 양산 라인에 적용되고 있습니다.

PRO-RPS

최대출력 전원
4.5kW
점화 가스
0.5 to 5 Torr, 100% Ar
적용 가스

NF3, O2, N2, H2, CxFy, NH3

적용 공정

ALE(ALR), NOR, Pre-treatment, H2 Annealing Process

  • 저전력 플라즈마 제어 (최소 180W)
  • 고밀도 플라즈마, 낮은 플라즈마 손실, 적은 파티클 영향
  • 전력 정확도 ±1% 이하
  • 서브 가스 솔루션 제공 (옵션)

PRO-RPS (QUARTZ)는 O 활성종을 주로 사용하는 플라즈마 공정을 위해 설계된 PRO-RPS 플랫폼의 특수 모델입니다.
쿼츠 기반 방전 구조를 적용하여 O활성종의 표면 손실을 최소화하고 우수한 내열특성을 확보하여 안정적인 플라즈마 구동을 가능하게 하며, 박막 및 유전체와 같은 민감한 공정에 적합합니다.

PRO-RPS (QUARTZ)

최대출력 전원
4.5kW / 6kW
점화 가스

0.5 to 2 Torr, 100% O2 or 90% O2, 10% N2

적용 가스

O2, N2

가스 유량

Up to 10slm (9:1 O2 : N2)

적용 공정

Ashing, PR Strip

  • 쿼츠 플라즈마 방전 튜브
  • 넓은 공정 가스 점화 윈도우
  • 산소 라디칼 생성에 최적화된 고밀도 플라즈마

고객의 공정 과제를 함께 해결하는 믿을 수 있는 파트너, 인투코어테크놀로지

장비 성능 최적화, 공정 균일도 향상, 또는 새로운 소자 구조 개발 등 어떤 과제를 마주하고 있든,
인투코어테크놀로지는 혁신을 위한 플라즈마 솔루션으로 함께하겠습니다.

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